П20 — П601

Справочный листок (Радио №1/1963)

П20, П21А, П27, П28А, П29, П30, П410, П411А, П414, П415Б, П416, П416В, П25, П26Б, П302, П304, П501, П503А, П604, П604Б, П601, П602А, П209, П210А

Транзисторы малой мощности — мощность, рассеиваемая коллектором Pk не более 300 мВт.

Транзисторы средней мощности — Pk свыше 300 мВт, но не более 1,5 Вт.

Транзисторы большой мощности — Pk более 1,5 Вт.

Предельно-допустимые эксплуатационные данные:

Мощность, рассеиваемая на коллекторе транзисторов при температуре окружающей среды от —60 до + 25°С и напряжении коллектор— база не свыше 35 в равна 150 мВт.

Запирающее напряжение коллектор — база для транзисторов П20, П21—50 в, для транзистора П21А—70 в. Ток коллектора в импульсе 300 мА.

Предельно-допустимые эксплуатационные данные

Мощность, рассеиваемая на коллекторе транзисторов в ключевом или импульсном режиме при температуре окружающей среды от—60 до +35°С—200 мВт

Для транзисторов П25, П25Л и П25Б:

Напряжение коллектор — база, эмиттер —база и коллектор — эмиттер при rб ⋜ 500 ом и температуре окружающей среды от —60 до + 35°С — 60 в.

свыше +35°С, но не более +70°С—40 в

Для транзисторов П26, П26А и П26Б:

напряжение коллектор — база, эмиттер — база и коллектор — эмиттер при гб=500 ом и температуре окружающей среды от — 60 до +35°С — 100 в;

свыше +35, но не более +70°С—70 в.

Ток коллектора в режиме переключения при насыщении или в импульсном режиме 400 мА.

Мощность транзисторов второй и третьей группы определяется при условии, что приборы работают с дополнительными внешними радиаторами, площадь и толщина которых обычно указывается в технических условиях или в справочных листках на транзисторы.

Кроме разделения на группы по мощности транзисторы также классифицируются и по частоте на низкочастотные — предельная частота усиления по току которых fа не более 3 Мгц; среднечастотные — fа которых выше 3 Мгц, но не более 30 Мгц; высокочастотные — предельная частота усиления которых или максимальная частота генерации fмакс свыше 30 Мгц, но не более 120 Мгц и наконец сверхвысокочастотные— fмакс, свыше 120 Мгц.

Полупроводниковые диоды в соответствии с утвержденной классификацией разделяются на выпрямительные, высокочастотные, сверхвысокочастотные, импульсные, опорные, переключающие, туннельные и варикапы.

Транзисторы малой мощности

Маломощные транзисторы П20— П21А, П25—П26, П27—Г128, П29— ПЗО, П410—П411 А, П414—П415Б, П416—П416Б, П501—П503 оформлены в металлическом герметическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами. Внешний вид и габаритные размеры этих транзисторов приведены на второй странице вкладки. Маломощные транзисторы П410—П411А оформлены в металлическом герметическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими коаксиальными выводами.

Основные эксплуатационные параметры перечисленных транзисторов приведены в таблицах 1—8.

Германиевые сплавные р—п—р транзисторы П20—П21А предназначены для работы в схемах усиления и переключения.

При температуре окружающей среды свыше +35°С предельно-допустимая мощность транзисторов П20— П21А определяется по формуле: